Las primeras memorias MRAM llegarán el año que viene.

Según publica HISPAMP3, Infineon e IBM acaban de presentar los primeros chips de memoria en incorporar la tecnología MRAM (Magnetic Random Access Memory o Memoria de Acceso Aleatorio Magnético), que permitirán la fabricación de ordenadores de arranque inmediato y mínimo consumo. Estas memorias serán hasta 6 veces superiores en velocidad que las actuales. Se espera empezar a comercializarlas a partir de mediados del año que viene.(HISPAMP3) Infineon e IBM acaban de presentar los primeros chips de memoria en incorporar la tecnología MRAM, que permitirán la fabricación de ordenadores de arranque inmediato y mínimo consumo.

A diferencia de las memorias convencionales, que guardan los bits en forma eléctrica, las memorias MRAM almacenan los contenidos bajo soporte magnético, evitando el constante consumo eléctrico de las convencionales y facilitando el arranque instantáneo de los ordenadores.

De manera similar a los discos duros convencionales, las memorias MRAMs (Magnetic Random Access Memory), son magnéticas, de acceso aleatorio, y que emplean cargas magnéticas para almacenar el estado de los bits de memoria.

La memoria no necesita ser constantemente refrescada y su contenido permanece inalterado al apagar los ordenadores, lo que facilitará la construcción de nuevos ordenadores de arranque instantáneo.

Por otro lado la MRAM es hasta seis veces más rápida que la RAM estática de hoy en día y puede alcanzar una densidad de grabación sin precedentes.

Está previsto que para finales del presente año se comiencen a distribuir entre los diferentes desarrolladores de chips las primeras memorias de acceso aleatorio magnetoresistente y que para mediados del 2004, llegarán a nuestros ordenadores domésticos.

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